作品简介：

使用CdxZn1-xS大禁带无机壳层包覆在CdxZn1-Xs/CdSe的表面，并尽可能地提高其PL QY。同时，对这种异质结构量子点发射极的壳层厚度及其与发光亮度、功率效率、外量子效率(EQE)以及量子点电荷注入速率等参数的关系进行深入的讨论，提高量子产率，研究壳层厚度对量子发光二极管性能的影响，制备的优异量子点应用于LED发光芯片。

研究成果：

合成了Cd0.5Zn0.5S/CdSe/CdxZn1-xS异质结构量子点，在反Ⅰ型CdZnS/CdSe核/壳纳米晶的基础上具有优异的光学性能和良好的热稳定性。研制出半径为6.8nm的QD-LED器件，EQE最大值为10.5%，高于相应器件的5.1%和8.4%。

创新之处：

使用CdxZn1-xS大带隙无机壳层钝化CdxZn1-xS /CdSe的表面，CdxZn1-xS带隙约为3.0eV，在CdS和ZnS之间，提供了一种相对合适的外壳材料。厚的无机壳赋予胶体纳米晶体增强的光化学稳定性和抑制光致发光间歇性(也称为闪烁),我们选择大的带隙外壳材料，并将其覆盖到CdxZn1-xS/CdSe核/壳QDs上，从而形成了核/壳/包层的异质结构。通过控制大带隙的厚度来提高量子产量，研究壳厚对QLED性能的影响。